650V GaN
氮化鎵技術使邁向綠色科技更順暢，也使產品更環保與高效。
氮化镓（GaN）功率積體電路（IC）在單個氮化镓晶片中结合了多種電力電子功能，以提高速度、效率、可靠性和成本效益。
氮化鎵的特性使其具有高电流、高擊穿電壓和高開關平率。
應用
我们的雄心壮志。发展电源市场
通过提供革命性的解决方案来发展市场
交流-直流轉換器
高密度電源轉換
高效率功率轉換
VS 相移全橋轉換
同步降壓或升壓
無橋 圖騰柱PFC
特點
GaN 技术和工程，明智的整合更进一步
- 650 V enhancement mode power switches
- Bottom-side cooling
configuration - Low inductance PQFN
package - 350 Qm to 70 Qm Resion
- 0 V to 6 V standard gate drive requirements
- -20 V / 10V transient tolerant gate drive
- > 1 MHz switching frequency
- Controllable fall time and rise time
- Integrated source sense
- Reverse current capability
- Zero reverse recovery
losses - 6 x8 mm? PCB footprint
主要優勢
懷智整合的創新發明為節能盡一份力
