WiseGan®

為縮小電源應器尺寸因應而生的氮化鎵積體電路晶片

650V GaN

氮化鎵特性實現高電流密度與高擊穿電壓的功率元件,承受更高的開關頻率。

氮化镓(GaN)功率積體電路(IC)在單個氮化镓晶片中结合了多種電力電子功能,以提高速度、效率、可靠性和成本效益。
氮化鎵的特性使其具有高电流、高擊穿電壓和高開關平率。

半橋

WI62120

Rds(on)175 mΩ
包裝(毫米)6×8

WI62175

Rds(on)120 mΩ
包裝(毫米)6×8

分離式元件

WI61120

集成式驱动器

Rds(on)120 mΩ
包裝(毫米)8×8

WI63120

Rds(on)120 mΩ
包裝(毫米)8×8

應用

  • 氮化鎵數位晶片將引領電源供應器邁向革命性發展

交流-直流轉換器

高密度電源轉換

高效率功率轉換

VS 相移全橋轉換

同步降壓或升壓

無橋 圖騰柱PFC

特點

GaN 氮化鎵技術和整合工程,懷智整合總是先人一步!

  • 650V 增强模式电源开关
  • 底面冷却配置
  • 低电感的PQFN封装
  • 350 Qm 至 70 Qm 分辨率
  • 0V 至 6V 的标准栅极驱动要求
  • -20V/10V瞬态耐受性栅极驱动
  • >1MHz的开关频率
  • 可控的下降时间和上升时间
  • 综合源感
  • 反向电流能力
  • 零逆向回收 损失
  • 6x8mm? 印刷电路板尺寸

主要優勢

懷智整合的創新發明為節能盡一份力

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